導讀目錄：

1、增材改性Inconel 718合金原位輻射響應

2、INCONEL 718鎳基合金標準對應國際型號

3、研究和總結高熵合金焊接方法和焊接機制(2)

增材改性Inconel 718合金原位輻射響應

圖9 在多光束條件下BFTEM顯微照片（a）顯示了，圖7 BFTEM顯微照片顯示0.5 dpa后，(a) 200°C和(b) 450°C受傷時，紅色箭頭指向SFTs，顯示白色箭頭g，從（a）和（b）區域軸傾斜。

細胞邊界和箔面時，細胞邊界和箔表面是主要缺陷下沉，但由于納米結構合金，晶界面積和表面較高。

因此，表面效應應應應遠小于El-Atwani另外，如果位錯之間的平均距離小于30 nm，考慮到細胞邊界的沉降偏置，它們是材料中的主要沉降點。

第二相顆粒對去除缺陷的貢獻較小。然而，由于它們主要沉淀在細胞邊界，細胞邊界由這些顆粒穩定，這表明這些顆粒的間接貢獻。需要指出的是，有效去除缺陷。

數量密度和尺寸非常重要。此外，當考慮位錯的沉降偏壓時，它們可以比計算的位錯強度更有效地去除間隙。 (a)平均環路面積(大小)(b)和(。

將Inconel 718 (IN-718)粉末與Y，制備了一種新型鎳基高溫合金IN-718 - 0.2 wt% Y2O3-，使用Ti6Al-4V的目的是為Y-Ti-O顆粒的形，IN-718和Ti6Al-4V粉末由EOS公司提供的尺寸范圍為20 - 55μm，能譜x射線能譜儀(EDS)采用激光粉床熔合技術測定粉末成分和合金(EOS M290。

EOSINT GmbH-Electro Optic，制備合金，2.2.使用原位輻照實驗Thermo Fisher Scientifi，原子探針斷層掃描采用標準改進和環形銑削工藝制備(A。

APT分析使用CAMECA LEAP 4000 X，有沉淀的APT樣品，激光脈沖能量保持在60 ~ 100 pJ，激光脈沖重復頻率為125KHz，脈沖率20%，脈沖率2000KHz所有樣品的溫度保持在57 K，目標蒸發率為0.005atoms/pulse。

利用IVAS 3.8重構APT數據，圖2 EDS圖顯示了第二相粒子的組成，白色和紅色箭頭分別表示部分碳化物和Laves由于納米氧化物顆粒的存在，紅色虛線箭頭表示不同類型的氧化物。

氧化物彌散強化（ODS）據報道，納米氧化物顆粒主要是在較高的溫度下表現良好的合金。Y-Ti-O、YAG、YAH，這些顆粒通過釘子晶體邊界和位錯穩定顯微組織，沉降輻照后的點缺陷。傳統上，這些合金是通過粉末冶金技術生產的。

雖然高密度納米氧化物顆粒(>1023)已經實現了球磨、熱固結工藝、熱處理等幾個步驟，但這些處理方法相當耗時且昂貴。

增材制造(AM)已成為傳統工藝難以加工的材料逐一使用AM該技術減少了材料浪費，消除了傳統生產過程中使用的中間步驟。因此，增材制造技術已成為一種有吸引力的核反應堆零件制造技術。

如燃料棒、外殼管和六角形管，4.1.溫度和劑量對損傷進化的影響，圖1 （a） EBSD取向圖（b）顯示晶界取向錯誤，綠色介于15°和5°之間，紅色

如燃料棒、外殼管和六角形管，4.1.溫度和劑量對損傷進化的影響，圖1 （a） EBSD取向圖（b）顯示晶界取向錯誤，綠色介于15°和5°之間，紅色-，15°)。

綠色代表晶粒邊界，取向角為5°和15°紅色代表1的取向角°和5°利用透射電子顯微鏡和原子探針層析技術研究了晶界之間的劑量和溫度。

在200℃和450℃時，SFT、故障環和完美環均形成，450℃時，SFT分數顯著下降，200°C和450°C缺陷密度隨劑量增加。

缺陷尺寸為200°C保持不變，450°C時間增加表明空位缺陷(SFTs和環的比例很高，所以在2000°C另一方面，它們的遷移是有限的。

位錯環是450的主要缺陷℃此外，450主要推定為間隙缺陷°C輻照除Ti和Nb除了微小的變化外，含量對基體和粒子的組成沒有影響。

這是由于晶界/胞界或顆粒/基體界面輻射引起的偏析。一般來說，這種新型合金的抗輻射性能優于其他鎳合金。這是由于添加劑的制造，第二相顆粒穩定了電池邊界的存在。

據報道，納米顆粒增強了材料的抗輻射性，這取決于顆粒的大小和比例。

14YWT納米結構鐵素體合金（NFA），具有1023 m-3量級納米氧化物密度顯示幾乎零膨脹和較少的位錯環，另一方面，另一種氧化物擴散強化合金MA956粒度較大，表現出較高的膨脹和輻射損傷。

在這項研究中，和NFA然而，更近的研究表明，額外的奧氏體和鐵素體/馬氏體鋼提高了機械性能。

在鎳中，SFTs空位遷移始于~490 K，因此，在200°C時空遷移受限。

由于缺陷生長有限，從圖5中200℃從缺陷尺寸的飽和度可以看出，缺陷主要是空位豐富的缺陷簇(SFTs另一方面，和環)和間隙環。

Frank據報道，大多為4000間隙結構。℃以上隨SIAs吸收和生長，而SFTs它隨著空間的吸收而生長，圖6 450℃輻照合金的APT三維重建攝氏度高達3(a) Fe-Cr-Mo-Nb碳化物顆粒(b)。

據報道，鎳和鎳基合金在輻照下表現出錯誤的四面體（SFT）、a，完美環和a/3，缺陷Frank據報道，環，SFT碰撞級聯過程中的空位型Frank環倒塌結，Frank環的倒塌可能會導致三角形的完美SFTs、截，據報道。

如果四面體沿六個方向觀察，結構將以三角形的形式投射到2D在本研究中，200和450在圖像上，而不是通過方向觀察的梯形°C在輻照溫度下，沿著。

另一方面，據報道，這些沉淀物在輻照下不穩定，要么無序，要么溶解，例如，Sencer等報道了在32-55°C的Incone。

在低劑量0.6 dpa在質子和中子輻照下，γ′和γ另外，無序沉淀，Sun等人研究了Rene N4 ni在基高溫合金中γ，發現在0.3 dpa劑量下γ′75分析相完全無序 dpa劑量下，室溫下γ′沉淀相部分溶解，發現這些粒子的無序性會導致強度損失。

此外，由于缺陷沉降界面減少，高劑量沉降相的溶解會導致損傷積累增加，doi.org/10.1016/j.addma.2.原位輻照已建樣品。

在200和450年檢測樣品的抗輻射性能°C輻照，在0.5、1、2和3 dpa圖3和圖4分別觀察損傷積累200°C和450°C輻照后的樣品很明顯。

在這兩種輻照條件下，損傷隨著劑量的增加而增加。在本研究中，通過結合In -718、Ti6Al-4V和Y2O合金氣孔率為0.25%，獲得高密度二相顆粒形成。

硬度為343.2±9.1 HV，LPBF工藝后晶粒的方向分布如圖1所示a如圖1所示，顆粒內的微小取向差推斷出細胞的形成b顯然，晶界主要是高角度晶界（HAGBs->15°），晶胞邊界是低角度晶界（LAGBs）。

圖1c顯示大小約5000 nm從位錯堆積形成的顆粒中的細胞TEM晶胞中的位錯密度可在顯微照片上測量~c插圖中緣，區軸選擇的角度衍射圖案沒有順序顯示，表明沒有形成γ′/γ〃。

在圖1d中，TEM顯微照片顯示了不同尺寸和形狀的第二相粒子的存儲。它們主要分布在細胞的邊界上，少量分布在細胞內。在高溫下，輻射會導致位錯和位錯環的分析，晶體邊界的分析/損耗。

鎳基合金中形成第二相粒子，Song等和Lear等報道了γ '和γ "在本研究中，一些富鎳的第二相粒子沉淀。

如圖11所示，輻照前后基體組成均勻，表明基體內部缺陷沒有新的納米級二相沉淀，14-YWT納米晶粒結構：鐵素體合金：（a）亮場T，表2 用APT在建成和輻照條件下，測量合金基體中的元，Zhang等人對Inconel X-750進行了原。

輻照溫度為60 -400℃，輻照溫度為~2.2 dpa，在另一項研究中，他們發現位錯環的尺寸和密度沒有明顯的趨勢。Frank環在400到500°C間隙會生長Frank環在500到600°C因此，故不會發生。

在高溫條件下，其大小呈上升趨勢，密度呈下降趨勢，類似于本研究，Hashimoto其他人使用各種離子探針Incon。

他們報告說，環的大小隨著輻照劑量的增加而增加，低至200°C與上述研究相比，環在溫度下發生故障。

發現位錯環的密度要低得多，這可能是由于環的解離，這些環可以逃到箔表面或與其他環結合，3.2.原位輻照后的顯微結構TSL EBSD檢測器的FEG SEM中。

通過EBSD檢查完成樣品的晶粒形狀，加速電壓為20 kV、孔徑為50μm、步長為50，75μm×75μm掃描區域，圖4 在450°C照射樣品的亮場透射鏡顯微圖dpa圖像在變化g，處拍攝的。

圖8 在本研究中，研究了激光粉床熔合制備的改性Inconel 718，在200℃和450℃原位在條件下進行Kr輻照前后達到3 dpa，在輻照前，微觀結構從錯角小于5°平均尺寸約為5000 nm。

還存在MC型碳化物、Laves相和Y- O、Y-(，200℃輻照后的顯微組織主要由層錯四面體和缺陷環組成，而450℃輻照后的顯微組織主要由位錯環組成，缺陷尺寸為200℃時間基本不變。

而在450℃這是因為200℃空位缺陷和不同的空位缺陷 此外，輻照后基體與二相顆粒相似，計算了結構的吸收強度。該合金優異的抗輻射性能歸因于添加劑制造產生的二相。

用電火花加工（EDM）切割直徑為3 mm電子背散射衍射的圓盤(EBSD)和透射電子顯微鏡(TEM，使用TenuPol-5拋光機在20 V在電壓下射擊，使用 高氯酸（HClO4）-甲醇（5:95 vol%，2，實驗的程序。

　　盡管目前的研究大多集中在純鎳上，但對鎳高溫合金的抗輻射性能的研究卻很少，例如，Zhao等人在室溫下對純鎳