導讀目錄：

1、SLM對適印性和微觀結(jié)構(gòu)的影響：(1)

2、NiMo28鎳鉬合金鎳鉬合金

3、K418軸晶高溫合金K418是什么材料

SLM對適印性和微觀結(jié)構(gòu)的影響：(1)

通過繪制一系列黃銅礦合金吸收帶隙能量和開路，上圖顯示了獲得高效寬禁帶設(shè)備的困難Eg=1.3 eV以下，VOC數(shù)據(jù)沿著一條直線。

表示VOC=Eg/q比例增益

表示VOC=Eg/q比例增益0.5 V，而在Eg>1.3 eV增益要適中得多，在標適中得多，CuInS2和CuGaSc2.記錄帶間隙能量和開路電壓Cu（in，Ga）Se2器件中，Eg–qVoc僅為434 eV。

人們對設(shè)計新合金以應(yīng)對添加劑制造帶來的復雜挑戰(zhàn)有著強烈的影響。為了開發(fā)新合金，了解成分和材料性能的變化如何影響額外制造的部件至關(guān)重要。目前的工作是利用參數(shù)優(yōu)化框架，結(jié)合實驗單軌微觀偏析數(shù)據(jù)開發(fā)L-PBF中密化和微結(jié)構(gòu)的處理圖。

然后是四種二元鎳基合金(即Ni-20at%Cu、N，第2.2節(jié)概述的校準框架詳細說明了二元同晶、弱溶質(zhì)分配、強溶質(zhì)分配和共晶合L-PBF，然而，這些地圖并沒有詳細說明參數(shù)空間中微結(jié)構(gòu)特征的變化。

微觀結(jié)構(gòu)特征差異的一個難點是這些特征的量化。能量色散可用于溶質(zhì)元素的微觀偏析（EDS）或波長，但微偏析結(jié)構(gòu)中的枝晶臂間距是高成本和耗時的（PDA）已被證明取決，Seede等人通過單軌實驗校準分析模型和一，構(gòu)建包括三個關(guān)鍵L-PBF參數(shù)處理圖：激光功率。

經(jīng)證明，這些工藝圖包括更佳生產(chǎn)新開發(fā)的低合金鋼全致密零件，并取得了較高的成功。該框架已全部或部分驗證了幾種不同的合金系統(tǒng)，包括鋼、鎳基合金和形狀記憶合金。

這些加工圖將進一步開發(fā)，包括凝固微結(jié)構(gòu)成分LP，并允許優(yōu)化額外制造零件的微結(jié)構(gòu)，系統(tǒng)比較各種合金成分的印刷適性和微結(jié)構(gòu)的能量，Laves相的Ostwald成熟會降低材料的力學性，導致韌性和脆性的變化。

必須延遲Laves為了保證相的粗化IC的長壽命，Laves相也在標度以下分離(圖7).12)這可能與它們對硅的親和力有關(guān)IC隨著冷卻速度的提高，共晶凝固過程中生長的耦合相變得更加細化，通常表現(xiàn)出優(yōu)異的機械性能。

多組分商用合金的微結(jié)構(gòu)復雜性和合金成分的差異使得難以全面分析不同合金系統(tǒng)的印刷適性。出于這些原因，選擇以下四種二元合金作為L-PBF對合金成分、相圖特征和材料物理性能進行評估AM這些合金的二元相圖如圖1所示，使用CALPHAD Thermo Calc為了保證熔池之間的適當融合，軟件計算。

基于幾何圖案的填充間距標準是在保守假設(shè)下獲得的，即印刷表面上下各熔池的水平形狀為拋物線，難以預測熔池高度，也假設(shè)熔池高度等于層厚。

本標準規(guī)定，在兩個連續(xù)軌跡中的兩個熔體池之間形成間隙之前，可以使用填充間距（hmax）更大值如下：，Ni-5at%Al和Ni-5at%Zr：為了研究合并，選擇了兩種等效二元成分Ni95X5（at由于溶質(zhì)分布的顯著差異，其中X為溶質(zhì)元素，Ni-Al和Ni-Zr該系統(tǒng)是測試分配系數(shù)效應(yīng)的理想方法。

由于Ni-5 at%Al液相線和固相線在所有溫度下ke=0.96，因此預計Ni-5 at%Al微觀偏析很少發(fā)生，但由于凍結(jié)范圍較大(172k）分配系數(shù)較低（k，預計Ni-5at%Zr微觀偏析會出現(xiàn)在合金中。

熱圖中對平面生長而不是細胞樹枝生長結(jié)構(gòu)的觀察結(jié)果，通過單軌和立方體WDS驗證合成貼圖，更后將熱圖與無氣孔加工圖結(jié)合，詳細說明加工區(qū)域，形成具有所需微結(jié)構(gòu)結(jié)果的全密度零件。

Ni-20at%Cu：選擇Ni-Cu由于其不統(tǒng)一的分配系數(shù)，合金是完成的（ke=0.74)和中等凝固范圍，預計合金將出現(xiàn)微觀分析，在凝固過程中缺乏第二相形成，與以下多相合金系統(tǒng)的微觀結(jié)構(gòu)開發(fā)相比，沒有公認的開發(fā)或選擇合適的標準AM然而，合金系統(tǒng)。

從焊接文獻和快速凝固研究中可以看出，枝晶凝固的微觀偏析是一個關(guān)鍵挑戰(zhàn)，會導致AM這種現(xiàn)象取決于凝固前沿的速度和平衡分配系數(shù)（ke），在非平衡快速凝固條件下，如合金系統(tǒng)中固體和液體溶質(zhì)濃度的比例(L-PBF典型情況。

分配系數(shù)與速度有關(guān)，如文獻所示，為了繪制工藝圖并建立工藝圖，有望通過提高激光掃描速度來降低微觀偏析L-PBF工藝參數(shù)和凝固微結(jié)必須首先確定一系列導致整個部件致密的參數(shù)。工藝參數(shù)的選擇AM對零件密度有重要影響。

AM在此期間，孔隙形成的機制非常明確，但緩解策略仍處于發(fā)展階段。過去，高密度零件制造的參數(shù)優(yōu)化是通過在廣泛的參數(shù)空間中進行的。更近，提出了幾種利用熔池尺寸預測來減少確定提高整個零件密度的參數(shù)的實驗試驗。

本文研究了AM開發(fā)和比較中合金系統(tǒng)加工圖，2.3.微偏析處理圖，單軌印刷在與合金成分相同的基板上，底板采用鑄態(tài)采購，鎳-5

本文研究了AM開發(fā)和比較中合金系統(tǒng)加工圖，2.3.微偏析處理圖，單軌印刷在與合金成分相同的基板上，底板采用鑄態(tài)采購，鎳-51100℃時，對at%Al鑄基板均勻處理1攝氏度?h、。

700℃再結(jié)晶?1攝氏度?HNi-20?當銅含量為11000時，鑄態(tài)基板℃時間均勻化1攝氏度?h、 ，800℃再結(jié)晶?1攝氏度?H鎳-5?鑄態(tài)基板均勻處理1000%1攝氏度?h38%熱軋，鑄態(tài)基板均勻處理1攝氏度?h和12.6%，單軌為10？。

長度為mm，長度為1?，磁道間距為mm，每種材料以相同的激光功率和掃描速度打印，粉末層厚度恒定為49μm。

大致對應(yīng)粉末d80(粉末粒度分布的第80%，密度較高的涂層，如PVD和APS致密尖晶石保護200，性能更好 μ m La1-xSrxC，而沉積WPS尖晶石毒鉻LSC，產(chǎn)生低導電相SrCrO4(圖A中涂層-陰極界面。

在長期的堆棧中，已經(jīng)證明了涂層的有效性。目前，這些涂料及其沉積技術(shù)的主要缺點是相關(guān)的生產(chǎn)成本和環(huán)，Co光學顯微鏡是一種危險和關(guān)鍵元素（OM）使用配備VH-Z100寬范圍變焦。

波長色散光譜（WDS）是在配備有LaB6電子源的C，定量WDS成分圖是在15%的設(shè)置下獲得的千伏，50nA和110?微秒像素停留時間，0.1?μm步長，拋光狀態(tài)下WDS。

WDS圖為原子百分比（at%)顯示，配備有場發(fā)射電子源的使用FEI Quanta 60，增材制造(AM)由于能夠制造局部微結(jié)構(gòu)控制潛力，根據(jù)觀察到的與缺陷形成對應(yīng)的熔池尺寸關(guān)系，即確定鎖孔的熔池寬度/深度關(guān)系（W/D）確定未熔化。

與圖2中實驗表征的單軌相比，根據(jù)實驗觀察，根據(jù)文獻確定的值，可視化哪個邊界更適合每種材料（W/D），選擇用于比較的鑰匙孔標準≤?1.2，1.5。

2.0)選擇缺乏融合標準作為D/t?≤?0.使用支持向量機分類器667（SVM）該分類器利用實驗性單軌分類，將加工圖劃分為成球區(qū)和2.江蘇激光聯(lián)盟陳長軍歡迎您繼續(xù)關(guān)注合金選擇。

定量波長色散光譜（WDS）觀察單軌和塊體實驗，驗證加工圖，闡明材料性能和合金條件L-PBF通過本研究生成的數(shù)據(jù)集，利用機器學習方法開發(fā)了一種經(jīng)驗?zāi)Ｐ停瑴蚀_預測枝晶微偏析結(jié)構(gòu)L-PBF輸入工藝參數(shù)和易獲得的材料特性函。

以前的研究利用熔池深度=然而，層厚標準缺乏單軌，Zhang據(jù)報道，高密度打印仍然可以在這個缺乏集成的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)，這表明有必要放松這一限制。由于需要打印多個單軌和至少幾層，以形成缺乏集成孔隙，因此缺乏集成標準是任意的。

因此，我們選擇一個不太保守的值來擴展功能可打印區(qū)域，圖2 Ni-20 (% Cu)、Ni-5 (% A，這些圖包含不同的鎖孔標準(W/D≤1.2，1.5，2.0)，確定哪個標準更合適，并在2.2節(jié)討論后進行校正Eagar - Ts。

使用支持向量機分類器繪制適合單軌實驗的球區(qū)。實驗分類的單軌顯示鎖孔、缺乏集成、球化和良好的軌道，并在這些地圖上標記不同的符號和顏色ET良好的模型預測匹配，D:熔池深度。

W:熔池寬度，t:粉末層厚度（如果需要解釋此圖中對顏色的引用，讀者可以參考本文的網(wǎng)頁版本）。為了確定激光功率掃描速度參數(shù)空間中的一個區(qū)域，該區(qū)域繞過了四種合金中每種合金的孔隙，實現(xiàn)了Seede參數(shù)優(yōu)化框架數(shù)優(yōu)化框架。

該框架使用計算成本低的方法Eagar Tsai（E-，對整個參數(shù)空間的熔池尺寸進行低保真預測，然后對激光功率掃描速度空間進行采樣和單軌實驗。

為了獲得更高的預測精度，對模型進行統(tǒng)計校準。因此，在整個參數(shù)空間中，根據(jù)實驗測量結(jié)果，采用基于網(wǎng)格的采樣策略對46個單軌試驗進行采樣。

以熔池深度≤0.667 ×層厚(D≤0.667 t，對缺乏熔合的單軌進行分類，選擇該值作為穿透固體印刷電路的更小單線深度，基于底層印刷的有效高度等于粉末填料密度×層厚，氣體霧化Ni-5?在%Al，Ni-20?在%Cu。

Ni-5時在%Zr和Ni-8.8?Nanoval ，使用3DSystems ProX DMP 歷史上用于200商L-PBF制造全致密零件所需的合金系統(tǒng)，如鎳基高溫合金(如Inconel 718?）由于和L-PBF另一方面，相關(guān)凝固過程中的高冷卻速率，Ti-6Al-4V微偏析結(jié)構(gòu)通常不顯示在制造狀態(tài)下。

盡管這些差異尚未完全量化為正在加工的合金凝結(jié)，但合金之間的微觀偏析差異通常歸因于正在加工的合金凝結(jié)AM，但是，因為和AM有許多相關(guān)的材料和工藝變量。優(yōu)化合金成分和工藝參數(shù)以獲得所需的性能是一項艱巨的任務(wù)。如何影響過程變量、合金成分和熱力學的變化，本系統(tǒng)研究揭示了合金成分和相應(yīng)的相圖特征對四種二元，即Ni-20at%Cu、Ni-5at%Al、Ni-。

這些成分的選擇分別代表二元同晶、弱溶質(zhì)分溶質(zhì)分，F(xiàn)SS基板上生長的熱氧化物采用不同的涂層技術(shù)，但具有相同的保護層(MnCo2O4):(A) WP，(B) APS，(C) PVD，高密度涂層在更小尺度厚度上產(chǎn)生更佳效果，從而使樣品(B)和(C)接觸電阻損失較低。

采用SVM 和PSVM方法后，采用8個不同類別的不同輸入變量，實現(xiàn)160個診斷模型(80個SVM診斷模型和80個，并對兩種分類方法(SVM和PSVM)的分類兼容性進，經(jīng)過詳細的